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　　如下图所示，2020年的时候，台积电芯片工艺进入了5nm，然后在2022年时，又进入了3nm，计划在2025年时进入2nm工艺。 但5nm这个工艺上，台积电还有几种增强型工艺，分别是N5P、N4P、N4X工艺，这些也是5nm增强版，或4nm工艺

　　工采网代理的电机驱动芯片 - SS8812T为打印机和其它电机一体化应用提供一种双通道集成电机驱动方案。SS8812T有两路H桥驱动，每个H桥可提供较大输出电流1.6A (在24V和Ta=25C适当散热条件下)，可驱动两个刷式直流电机，或者一个双极步进电机，或者螺线管或者其它感性负载

　　摘要：使用SEMulator3D?可视性沉积和刻蚀功能研究金属线制造工艺，实现电阻的大幅降低

　　作者：泛林集团 Semiverse Solutions 部门软件应用工程师 Timothy Yang 博士

　　铜的电阻率由其晶体结构、空隙体积、晶界和材料界面失配决定，并随尺寸缩小而显著提升

　　Zilia 智忆巴西协同江波龙启动全新产品线，新投资计划加速研发创新及产能扩张

　　巴西时间2024年7月1日，深圳市江波龙电子股份有限公司（以下简称“江波龙”）宣布其巴西子公司Zilia（智忆巴西）已经开始封装生产江波龙存储产线。这一成功导入标志着江波龙海外并购服务和技术赋能的正式落地，为江波龙向高端、品牌、海外发展提供存储制造竞争力

　　小型封装内置第4代SiC MOSFET，实现业界超高功率密度，助力xEV逆变器实现小型化！

　　全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向300kW以下的xEV（电动汽车）用牵引逆变器，开发出二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack”，共4款产品（750V 2个型号：BSTxxxD08P4A1x4，1

　　Transphorm发布两款4引脚TO-247封装器件，针对高功率服务器、可再生能源、工业电力转换领域扩展产品线

　　加利福尼亚州戈莱塔 – 2024 年 1 月 17日 — 全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克：TGAN）今日宣布推出两款采用 4 引脚&

　　IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源——QA_(T)-R3G系列

　　一、产品介绍 基于国内外新能源行业发展态势，半导体应用市场持续扩大；对于新能源充电桩、光伏SVG行业，IGBT/SiC MOSFET的应用广泛，而驱动电源作为专为IGBT/SiC MOSFET驱动器提供驱动能力的来源，市场潜力巨大